Основные характеристики зарубежных транзисторов icon

Основные характеристики зарубежных транзисторов



НазваниеОсновные характеристики зарубежных транзисторов
страница1/12
Дата конвертации10.09.2012
Размер0.87 Mb.
ТипДокументы
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12







Основные характеристики зарубежных транзисторов


Основные характеристики зарубежных транзисторов


  • GE-N - германиевый n-p-n

  • GE-P - германиевый p-n-p

  • SI-N - кремниевый n-p-n

  • SI-P - кремниевый p-n-p

  • ...-DARL - составной

  • ...+D - с диодом

  • N-FET - полевой с n-каналом

  • P-FET - полевой с p-каналом

  • ARRAY - транзисторная матрица










2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W

2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz

2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz

2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60

2N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz

2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz

2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W

2N2102 SI-N 120V 1A 1W <120MHz

2N2148 GE-P 60V 5A 12.5W

2N2165 SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz

2N2166 SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz

2N2219A SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz

2N2222A SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz

2N2223 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50

2N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50

2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz

2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns

2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz

2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns

2N2905A SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100

2N2906A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100

2N2907A SI-P 60V 0.6A 0.
4W 45/100


2N2917 SI-N 45V 0.03A >60Mz

2N2926 SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz

2N2955 GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz

2N3019 SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz

2N3053 SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz

2N3054 SI-N 90V 4A 25W 3MHz

2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz

2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz

2N3055H SI-N 100V 15A 115W 800kHz

2N3251 SI-P 50V 0.2A 0.36W

2N3375 SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz

2N3439 SI-N 450V 1A 10W 15MHz

2N3440 SI-N 300V 1A 10W 15MHz

2N3441 SI-N 160V 3A 25W POWER

2N3442 SI-N 160V 10A 117W 0.8MHz

2N3495 SI-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz

2N3502 SI-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz

2N3553 SI-N 65V 0.35A 7W 500MHz

2N3571 SI-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz

2N3583 SI-N 250/175V 2A 35W >10MHz

2N3632 SI-N 40V 0.25A 23W 400MHz

2N3646 SI-N 40V 0.2A 0.2W

2N3700 SI-N 140V 1A 0.5W 200MHz

2N3707 SI-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz

2N3708 SI-N 30V 0.03A 0.36W 80MHz

2N3716 SI-N 100V 10A 150W 4MHz

2N3725 SI-N 80V 0.5A 1W 35/60ns

2N3740 SI-P 60V 4A 25W >4MHz

2N3741 SI-N 80V 4A 25W >4MHz

2N3742 SI-N 300V 0.05A 1W >30MHz

2N3767 SI-N 100V 4A 20W >10MHz

2N3771 SI-N 50V 30A 150W POWER

2N3772 SI-N 100V 20A 150W POWER

2N3773 SI-N 160V 16A 150W POWER

2N3792 SI-P 80V 10A 150W 4MHz

2N3819 N-FET 25V 20mA 0.36W

2N3820 P-FET 20V 15mA 0.36W

2N3821 N-FET 50V 2.5mA 0.3W

2N3824 N-FET 50V 10mA 0.3W <250E

2N3866 SI-N 55V 0.4A 1W 175MHz

2N3904 SI-N 60V 0.2A .35W 300MHz

2N3906 SI-P 40V 0.2A .35W 250MHz

2N3909 P-FET 20V 10MA 0.3W

2N3958 N-FET 50V 5mA 0.25W

2N3963 SI-P 80V 0.2A 0.36W >40MHz

2N3972 N-FET 40V 50mA 1.8W

2N4001 SI-N 100V 1A 15W 40MHz

2N4033 SI-P 80V 1A 0.8W 150MHz

2N4036 SI-P 90V 1A 1W 60MHz

2N409 GE-P 13V 15mA 80mW 6.8MHz

2N4126 SI-P 25V 200mA HF

2N4220 N-FET 30V 0.2A

2N4236 SI-P 80V 3A 1W >3MHz

2N427 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>40

2N428 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>60

2N4286 SI-N 30V 0.05A 0.25W

2N4287 SI-N 45V 0.1A 0.25W 40MHz

2N4291 SI-P 40V 0.2A 0.25W 150MH

2N4302 N-FET 30V 0.5mA 0.3W

2N4347 SI-N 140V 5A 100W 0.8MHz

2N4348 SI-N 140V 10A 120W >0.2MHz

2N4351 N-FET 30V 30mA 0.3W 140KHz

2N4391 N-FET 40V 50mA 30E Up<10V

2N4392 N-FET 40V 25mA 60E Up<5V

2N4393 N-FET 40V 5mA 100E Up<3V

2N4401 SI-N 60V 0.6A 200MHz

2N4403 SI-P 40V 0.6A 200MHz

2N4416 N-FET 30V 15mA VHF/UHF

2N4420 SI-N 40V 0.2A 0.36W

2N4427 SI-N 40V 0.4A 1W 175MHz

2N4906 SI-P 80V 5A 87.5W >4MHz

2N4920 SI-P 80V 1A 30W

2N4923 SI-N 80V 1A 30W

2N5038 SI-N 150V 20A 140W 0.5us

2N5090 SI-N 55V 0.4A 4W 5mA

2N5109 SI-N 40V 0.5A 2.5W 1.5GHz

2N5116 P-FET 30V 5mA 150E Up<4V

2N5154 SI-N 100V 2A 10W

2N5179 SI-N 20V 50mA 0.2W >1GHz

2N5192 SI-N 80V 4A 40W 2MHz

2N5240 SI-N 375V 5A 100W >2MHz

2N5298 SI-N 80V 4A 36W >0.8MHz

2N5308 N-DARL 40V 0.3A 0.4W B>7K

2N5320 SI-N 100V 2A 10W AFSWITCH

2N5322 SI-P 100V 2A 10W AFSWITCH

2N5401 SI-P 160V 0.6A 0.31W

2N5416 SI-P 350V 1A 10W 15MHz

2N5433 N-FET 25V 0.4A 0.3W 7E

2N5457 N-FET 25V 1mA Up<6V

2N5458 N-FET 25V 2.9mA UNI

2N5460 P-FET 40V 5mA Up<6V GEN.P

2N5461 P-FET 40V 9mA 0.31W

2N5462 P-FET 40V 16mA Up<9V GEN.

2N5484 N-FET 25V 5mA 0.31W

2N5485 P-FET 25V 4mA Up<4V

2N5551 SI-N 180V 0.6A 0.31W VID.

2N5589 SI-N 36V 0.6A 3W 175MHz

2N5639 N-FET 30V 10mA 310mW

2N5672 SI-N 150V 30A 140W 0.5us

2N5680 SI-P 120V 1A 1W

2N5682 SI-N 120V 1A 1W >30MHz

2N5684 SI-P 80V 50A 200W

2N5686 SI-N 80V 50A 300W >2MHz

2N5770 SI-N 30V 0.05A 0.7W >900MHz

2N5771 SI-P 15V 50mA 625mW >850MHz

2N5876 SI-P 80V 10A 150W >4MHz

2N5878 SI-N 80V 10A 150W >4MHz

2N5879 SI-N 60V 10A 150W >4MHz

^ 2N5884 SI-P 80V 25A 200W AFPOWSW

2N5886 SI-N 80V 25A 200W >4MHz

2N6031 SI-P 140V 16A 200W 1MHz

2N6050 P-DARL+D 60V 12A 100W

2N6059 SI-N 100V 12A 150W

2N6083 SI-N 36V 5A PQ=30W 175MHz

^ 2N6098 SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH

2N6099 SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH

2N6109 SI-P 60V 7A 40W 10MHz

2N6124 SI-P 45V 4A 40W

2N6211 SI-P 275V 2A 20W 20MHz

2N6213 SI-P 400V 2A 35W >20MHz

2N6248 SI-P 110V 15A 125W >6MHz

2N6284 N-DARL 100V 20A 160W B>75

^ 2N6287 P-DARL 100V 20A 160W

2N6292 SI-N 80V 7A 40W

2N6356 N-DARL 50V 20A 150W B>150

2N6422 SI-P 500V 2A 35W >10MHz

2N6427 N-DARL 40V 0.5A 0.625W

2N6476 SI-P 130V 4A 16W 5MHz

2N6488 SI-N 90V 15A 75W

2N6491 SI-P 90V 15A 30W

2N6517 SI-N 350V 0.5A 0.625W >40

2N6520 SI-P 350V 0.5A 0.625W >40

2N6547 SI-N 850/400V 15A 175W

2N6556 SI-P 100V 1A 10W >75MHz

2N6609 SI-P 160V 16A 150W 2MHz

2N6660 N-FET 60V 2A 6.25W 3E

^ 2N6661 N-FET 90V 2A 6.2W 4E

2N6675 SI-N 400V 15A

2N6678 SI-N 400V 15A

2N6716 SI-N 60V 2A 2W 50MHz

2N6718 SI-N 100V 2A 2W 50MHz

2N6725 N-DARL 60V 2A 1W B>15K

2N6728 SI-P 60V 2A 2W >50MHz

2N697 SI-N 60V 1A 0.6W <50MHz

2N7002 N-FET 60V 0.115A 0.2W 7E5

2N914 SI-N 40V 0.5A <40/40NS SW

2N918 SI-N 30V 50mA 0.2W 600MHz










2SA1006B SI-P 250V 1.5A 25W 80MHz




2SA1009 SI-P 350V 2A 15W

2SA1011 SI-P 160V 1.5A 25W 120MHz

2SA1013 SI-P 160V 1A 0.9W 50MHz

2SA1015 SI-P 50V 0.15A 0.4W 80MHz

2SA1016 SI-P 100V 0.05A 0.4W 110MHz

2SA1017 SI-P 120V 50mA 0.5W 110MHz

2SA1018 SI-P 250V 70mA 0.75W >50MHz

2SA1020 SI-P 50V 2A 0.9W 100MHz

2SA1027 SI-P 50V 0.2A 0.25W 100MHz

2SA1029 SI-P 30V 0.1A 0.2W 280MHz

2SA1034 SI-P 35V 50mA 0.2W 200MHz

2SA1037 SI-P 50V 0.4A 140MHz FR

2SA1048 SI-P 50V 0.15A 0.2W 80MHz

2SA1049 SI-P 120V 0.1A 0.2W 100MHz

2SA1061 SI-P 100V 6A 70W 15MHz

2SA1062 SI-N 120V 7A 80W 15MHz

2SA1065 SI-P 150V 10A 120W 50MHz

2SA1084 SI-P 90V 0.1A 0.4W 90MHz

2SA1103 SI-P 100V 7A 70W 20MHz

2SA1106 SI-P 140V 10A 100W 20MHz

2SA1110 SI-P 120V 0.5A 5W 250MHz

2SA1111 SI-P 150V 1A 20W 200MHz

2SA1112 SI-P 180V 1A 20W 200MHz

2SA1115 SI-P 50V 0.2A 200MHz UNI

2SA1120 SI-P 35V 5A 170MHz

2SA1123 SI-P 150V 50mA 0.75W 200MHz

2SA1124 SI-P 150V 50mA 1W 200MHz

2SA1127 SI-P 60V 0.1A 0.4W 200MHz

2SA1141 SI-P 115V 10A 100W 90MHz

2SA1142 SI-P 180V 0.1A 8W 180MHz

2SA1145 SI-P 150V 50mA 0.8W 200MHz

2SA1150 SI-P 35V 0.8A 0.3W 120MHz

2SA1156 SI-P 400V 0.5A 10W POWER

2SA1160 SI-P 20V 2A 0.9W 150MHz

2SA1163 SI-P 120V 0.1A 100MHz

2SA1170 SI-P 200V 17A 200W 20MHz

2SA1185 SI-P 50V 7A 60W 100MHz

2SA1186 SI-P 150V 10A 100W

2SA1200 SI-P 150V 50mA 0.5W 120MHz

2SA1201 SI-P 120V 0.8A 0.5W 120MHz

2SA1206 SI-P 15V 0.05A 0.6W

2SA1207 SI-P 180V 70mA 0.6W 150MHz

2SA1208 SI-P 180V 0.07A 0.9W

2SA1209 SI-P 180V 0.14A 10W

2SA1210 SI-P 200V 0.14A 10W

2SA1213 SI-P 50V 2A 0.5W 120MHz

2SA1215 SI-P 160V 15A 150W 50MHz

2SA1216 SI-P 180V 17A 200W 40MHz

2SA1220A SI-P 120V 1.2A 20W 160MHz

2SA1221 SI-P 160V 0.5A 1W 45MHz

2SA1225 SI-P 160V 1.5A 15W 100MHz

2SA1227A SI-P 140V 12A 120W 60MHz

2SA1232 SI-P 130V 10A 100W 60MHz

2SA1241 SI-P 50V 2A 10W 100MHz

2SA1242 SI-P 35V 5A 1W 170MHz

2SA1244 SI-P 60V 5A 20W 60MHz

2SA1249 SI-P 180V 1.5A 10W 120MHz

2SA1261 SI-P 100V 10A 60W POWER

2SA1262 SI-P 60V 4A 30W 15MHz

2SA1264N SI-P 120V 8A 80W 30MHz

2SA1265N SI-P 140V 10A 100W 30MHz

2SA1266 SI-P 50V 0.15A 0.4W POWER

2SA1268 SI-N 120V 0.1A 0.3W 100MHz

2SA1270 SI-P 35V 0.5A 0.5W 200MHz

2SA1271 SI-P 30V 0.8A 0.6W 120MHz

2SA1275 SI-P 160V 1A 0.9W 20MHz

2SA1282 SI-P 20V 2A 0.9W 80MHz

2SA1283 SI-P 60V 1A 0.9W 85MHz

2SA1286 SI-P 30V 1.5A 0.9W 90MHz

2SA1287 SI-P 50V 1A 0.9W 90MHz

2SA1292 SI-P 80V 15A 70W 100MHz

2SA1293 SI-P 100V 5A 30W 0.2us

2SA1294 SI-P 230V 15A 130W

2SA1295 SI-P 230V 17A 200W 35MHz

2SA1296 SI-P 20V 2A 0.75W 120MHz

2SA1298 SI-P 30V 0.8A 0.2W 120MHz

2SA1300 SI-P 10V 2A 0.75W 140MHz

2SA1302 SI-P 200V 15A 150W 25MHz

2SA1303 SI-P 150V 14A 125W 50MHz

2SA1306 SI-P 160V 1.5A 20W

2SA1306A SI-P 180V 1.5A 20W 100MHz

2SA1307 SI-P 60V 5A 20W 0.1us

2SA1309 SI-P 30V 0.1A 0.3W 80MHz

2SA1310 SI-P 60V 0.1A 0.3W 200MHz
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12




Похожие:

Основные характеристики зарубежных транзисторов iconМетодические указания к лабораторным работам по курсу «Электроника» пенза 2006
...
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconДокументы
1. /МРБ 0451. Попов П.А. Характеристики плоскостных транзисторов.djvu
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconУроку по теме: «Назначение и основные характеристики памяти. Внутренняя память. Внешняя память»
«Назначение и основные характеристики памяти. Внутренняя память. Внешняя память»
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconСписок зарубежных научных журналов и изданий, в которых могут быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук

Основные характеристики зарубежных транзисторов iconДокументы
1. /Основные характеристики звезд.doc
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconДокументы
1. /Темперамент и его основные типы и характеристики.doc
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconАдминистрации Кантемировского муниципального района Воронежской области
Пункт раздела 3 «Основные характеристики организации образовательного процесса» изложить в следующей редакции
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconМетодические указания к лабораторным работам по курсу «Электроника» пенза 2006
В лабораторных работах исследуются основные характеристики и параметры полупроводниковых диодов
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconДокументы
1. /Межд_Право/01/ВЭД_билеты/1-10.DOC
2. /Межд_Право/01/ВЭД_билеты/10-20.DOC
Основные характеристики зарубежных транзисторов iconТема Решение задач вычислительными методами. Основные понятия > 1 Погрешность
Математическая модель должна охватывать важнейшие характеристики исследуемого объекта и отражать связи между ними
Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©podelise.ru 2000-2014
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы

Разработка сайта — Веб студия Адаманов