Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники icon

Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники



НазваниеТехнический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники
страница1/5
Дата конвертации21.07.2012
Размер0.74 Mb.
ТипУчебное пособие
  1   2   3   4   5
1. /Элементы.docТехнический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники



МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ


ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

мОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Филиал в г. Смоленске


В.Ю. СМЕРДОВ


ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ промышленной электроники


УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ

по курсу

«Магнитные элементы электронных устройств»


Научный редактор

профессор С.И. Зиенко


Смоленск 2001


УДК 621.314.2.(001.24)

С50


Утверждено учебным управлением МЭИ

в качестве учебного пособия для студентов СФМЭИ, обучающихся по

специальности «Промышленная электроника»


Подготовлено на кафедре промышленной электроники


Рецензенты:

Канд. техн. наук, доц. Московского энергетического института А.С. Шипалов

Канд. техн. наук, доц. СФМЭИ В.А. Тихонов


Смердов В.Ю.


С50. Электромагнитные элементы промышленной электроники Учебное пособие по курсу «Магнитные элементы электронных устройств». – Смоленск: СФМЭИ, 2001. – 80 с.


Рассмотрены основные свойства и характеристики магнитных материалов, используемых для изготовления сердечников электромагнитных элементов. Описаны эквивалентные схемы замещения электромагнитных элементов и рассмотрены их паразитные параметры. Дан анализ работы импульсных трансформаторов напряжения и тока с однополярным режимом перемагничивания сердечника. Рассмотрена работа различных цепей восстановления. Проанализированы переходные процессы в импульсных трансформаторах.

Пособие предназначено для студентов факультета компьютерных технологий и электроники.


Ó Московский энергетический институт, филиал в г. Смоленске, 2001 г.

ОГЛАВЛЕНИЕ


Введение……………………………………………………………

1. Основные сведения о магнитных материалах………………

    1. Магнитные свойства веществ …………………………..

    2. Основные свойства ферромагнетиков ………………….

    3. Процессы перемагничивания ферромагнетиков……….

    4. Параметры и характеристики ферромагнетиков…….

    5. Потери в ферромагнетиках………………………………

    6. Классификация магнитных материалов………….……..

2. Основные характеристики электромагнитных элементов…

2.1.
Элементы конструкции………………..…………………

2.2. Электромагнитные соотношения………………………..

2.3. Влияние воздушного зазора …………………………….

2.4. Эквивалентные схемы замещения ……………………..

2.5. Паразитные параметры электромагнитных элементов..

2.6. Измерение характеристик магнитных элементов……...

3. Импульсные трансформаторы и дроссели..………………...

3.1. Режимы работы импульсных трансформаторов……….

3.2. Анализ импульсных трансформаторов……………….…

3.3. Работа трансформатора в преобразователях напряжения

3.4. Особенности однополярного режима …………………..

3.5. Цепи восстановления …..………………………………..

3.6. Импульсные трансформаторы тока…… ……………….

3.7. Дроссели…………………………………………………..

Контрольные вопросы и задания………………..……………….

Заключение………………………………………………………...

Литература…………………..……………………………………..

4

5

5

8

11

15

19

22

27

27

32

35

37

40

43

46

46

47

54

59

63

69

74

77

78

79



ВВЕДЕНИЕ


Бурное развитие полупроводниковой преобразовательной техники позволило создать на основе преобразовательных устройств (выпрямителей, инверторов, конверторов) современные источники вторичного электропитания, которые широко используются для нужд бытовой, офисной и промышленной электроники. Электромагнитные элементы (трансформаторы, дроссели и индуктивные элементы) являются составными компонентами указанных устройств. Так, с помощью трансформаторов осуществляется согласование входного и выходного напряжений преобразователей, реакторы и дроссели служат для фильтрации высших гармоник, ограничения напряжений на элементах преобразователей и формирования тока коммутации.

Следует отметить, что при изготовлении источников вторичного электропитания в основном используются серийно выпускаемые комплектующие изделия (конденсаторы, резисторы, полупроводниковые приборы и др.). Что же касается электромагнитных элементов (ЭЭ), то в силу разнообразных требований, предъявляемых к ним и обусловленных спецификой их работы, ЭЭ, как правило, требуют индивидуального подхода к их проектированию. Поэтому при создании ЭЭ современных источников вторичного электропитания необходимо рассматривать всю совокупность физических явлений, происходящих в них, с тем, чтобы не только выполнять заданные электрические параметры ЭЭ, но и обеспечивать их надежность и оптимальность.

В устройствах промышленной электроники электромагнитные элементы очень часто работают с полупроводниковыми ключами (диодами, транзисторами, тиристорами), которые формируют в обмотке ЭЭ импульсные напряжения. Условия работы ЭЭ в таких узлах существенно отличаются от работы электромагнитных элементов классического применения, когда на обмотках действуют гармонические напряжения. При этом процессы в магнитопроводах ЭЭ, работающих в импульсном режиме, значительно сложнее, и их анализ с помощью традиционных подходов затруднен.

Таким образом, электромагнитные элементы многих устройств промышленной электроники могут рассматриваться, как самостоятельный вид ЭЭ, анализ и расчет которых должен строиться с учетом особенностей их работы в импульсном режиме.


1. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛАХ


1.1. Магнитные свойства веществ


Все вещества в природе являются магнетиками, т.е. они обладают определенными магнитными свойствами и определенным образом взаимодействуют с внешним магнитным полем. Чтобы понять магнитные свойства различных веществ, и, в частности, материалов, из которых изготавливаются сердечники электромагнитных элементов, необходимо знать строение атомов и кристаллов твердых тел.

Изучение свойств электрических частиц показывает, что, в основном, магнитные свойства атома определяются магнитными свойствами электронов. Магнетизм других частиц относительно мал (например, магнитный момент атомного ядра в 1000 раз меньше магнитного момента электронной оболочки атома).

Как известно, атом любого вещества состоит из ядра и электронов, вращающихся вокруг ядра по орбитам (рис. 1.1).




Рис. 1.1

Каждый движущийся электрон (носитель заряда) может быть представлен некоторым круговым контуром с током. Этот круговой ток создает орбитальный магнитный момент:

,

где i – сила тока электрона; S – площадь орбиты, обтекаемой током электрона.

Кроме того, при движении по орбите каждый электрон обладает свойствами, близкими к свойствам заряженного тела, вращающегося вокруг своей оси. Следовательно, каждый электрон обладает спиновым магнитным моментом.

Суммарный собственный магнитный момент атома определяется векторной суммой орбитальных и спиновых моментов электронов с учетом их направления.

Если на атом воздействует внешнее магнитное поле Н, то возникает прецессия орбит электронов (некоторое вращение орбит) вокруг вектора этого поля, что эквивалентно некоторому дополнительному вращению электронов, которое создает дополнительный магнитный момент (рис. 1.2). По правилу Ленца этот магнитный момент всегда направлен против внешнего поля и стремится ослабить его.



Рис. 1.2

Результирующий магнитный момент единицы объема вещества называют намагниченностью :

,

где Sm – суммарный магнитный момент атомов, занимающих объем V.

Намагниченность можно рассматривать как напряженность внутреннего магнитного поля, создаваемого микротоками электронных оболочек самого вещества. Поэтому индукцию в веществе, помещенном во внешнее магнитное поле, можно представить как:

.

Таким образом, векторы В, Н, J полностью характеризуют поведение вещества во внешнем магнитном поле. Вектор определяет магнитное поле, создаваемое магнитными моментами движущихся электронов или, проще говоря, самим веществом. Вектор определяет напряженность внешнего магнитного поля, приложенного к веществу (практически это поле, создаваемые различными намагничивающими катушками). Вектор определяет суммарное магнитное поле в веществе, создаваемое как внешними, так и внутренними возбудителями.

Часто векторы Н и J имеют одинаковое направление, тогда можно перейти к скалярному выражению и разделить обе части равенства на Н.

.

Отношение J/H называют магнитной восприимчивостью вещества:

.

Связь магнитной восприимчивости с магнитной проницаемостью вещества описывается выражением:

.

По величине и знаку магнитной восприимчивости все вещества можно разделить на несколько групп: диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики, ферримагнетики.

У диамагнетиков магнитная восприимчивость отрицательна, мала по абсолютной величине (= -10-5) и в большинстве случаев не зависит от температуры и напряженности внешнего поля. Вектор намагниченности у них всегда направлен навстречу вектору напряженности внешнего поля. Такое вещество ослабляет внешнее магнитное поле, и магнитная индукция у них меньше, чем в вакууме. Представителями диамагнетиков являются инертные газы, вода, медь, серебро, золото, ртуть, цинк, свинец, многие органические вещества.

В парамагнетиках магнитная восприимчивость положительна, имеет малое значение (=10-2…10-5) и очень зависит от температуры. У этих веществ атомы обладают отличными от нуля собственными магнитными моментами, которые в отсутствии внешнего поля ориентированы равновероятно по всем направлениям, а суммарный магнитный момент вещества равен 0. Внешнее магнитное поле преодолевает дезориентирующее действие теплового движения атомов и ориентирует магнитные моменты атомов по полю. Эта ориентация превышает диамагнитный эффект, создаваемый прецессией электронных орбит. Общая намагниченность совпадает с направлением внешнего поля и исчезает вместе с исчезновением внешнего поля. Представителями парамагнетиков являются многие металлы (магний, кальций, алюминий, хром), соли железа, кобальта и редкоземельных элементов.

Ферромагнетики – это сильномагнитные вещества, у которых магнитная восприимчивость достигает значений порядка 103…106 (>>1) и имеет сложную зависимость от температуры и внешнего поля. Они характеризуются тем, что выше определенной температуры, называемой точкой Кюри, ферромагнитное состояние переходит в парамагнитное. Примером ферромагнетиков могут служить железо, никель, кобальт, редкоземельные элементы, некоторые сплавы.


1.2. Основные свойства ферромагнетиков


Ферромагнетики – это вещества с достаточно большими порядковыми номерами, у которых нарушен нормальный порядок заполнения электронных оболочек, в результате чего атомы имеют незаполненные (недостроенные) оболочки. Благодаря наличию таких оболочек атомы этих элементов обладают нескомпенсированными магнитными моментами (для полностью заполненных оболочек магнитный момент равен 0). Физические эксперименты показали, что ферромагнитные свойства веществ определяются нескомпенсированными спинами электронов.

Однако для получения ферромагнитных свойств этого недостаточно. Эти свойства наблюдаются только в кристаллическом состоянии при обменном взаимодействии атомов в кристалле, когда электроны незаполненных оболочек принадлежат одновременно и своим, и соседним атомам.Такое взаимодействие характеризуется интегралом обмена, величина и знак которого в значительной степени зависят от относительного расстояния между атомами в кристаллической решетке.

При положительном значении этого интеграла обменное взаимодействие атомов приводит к параллельной ориентации нескомпенсированных спиновых магнитных моментов. Это и обеспечивает самопроизвольную (спонтанную) намагниченность каждого микроскопического объема вещества Js, которая характеризует его ферромагнитные свойства.

При отрицательном значении интеграла обмена нескомпенсированные спины устанавливаются антипараллельно, они взаимно компенсируются, и собственный магнитный момент вещества будет равен 0. Это свойство характерно для антиферромагнетиков.

Кроме обменного взаимодействия, имеющего электростатический характер, в кристаллической решетке существует так называемое магнитное взаимодействие атомов. Это взаимодействие приводит к тому, что в отсутствие внешнего магнитного поля весь объем ферромагнетика разбивается на большое число областей самопроизвольной намагниченности, называемых доменами.

Обменное взаимодействие обеспечивает параллельность магнитных моментов атомов только в пределах этих областей. Каждый домен намагничен до предельного значения, а направления намагниченности соседних доменов не совпадают. Поэтому ферромагнетик в отсутствие внешнего магнитного поля размагничен, несмотря на ориентирующее действие обменных сил.

Процесс образования доменов (формирование их размеров) заканчивается тогда, когда полная энергия системы доменов будет равна минимальному значению. При этом типичной картиной расположения векторов намагниченности в группе соседних доменов будет их замкнутый вид (рис. 1.3) (силовые линии магнитного поля замкнуты).




Рис. 1.3

Ферромагнетики имеют поликристаллическую структуру, в которой единичная кристаллическая решетка равновероятно повторяется во всех направлениях.Существует в основном три типа решеток: кубическая гранецентрированная, кубическая объемоцентрированная и гексагональная, которые состоят из зерен – кристаллов неправильной формы (кристаллитов).

Единичная кристаллическая решетка железа состоит из девяти атомов, восемь из которых расположены в вершинах куба, а девятый – в его центре . Энергия магнитного взаимодействия атомов различна по величине в разных направлениях кристалла (ребро, диагональ грани, диагональ куба), поэтому расположение магнитных моментов областей с самопроизвольной намагниченностью в одних направлениях будет более энергетически выгодным, чем в других. Для железа направления вдоль ребер – это направления легкого намагничивания (рис. 1.4).

Неоднородность магнитных свойств по различным кристаллографическим направлениям называют магнитной анизотропией. При статически неупорядоченном расположении осей отдельных кристаллов (кристаллитов) их магнитная анизотропия взаимно компенсируется, и материал в целом оказывается практически изотропным в магнитном отношении.




Рис. 1.4

Для улучшения магнитных свойств некоторые магнитные материалы подвергают специальной обработке, в результате которой оси всех кристаллов получают преимущественную ориентацию в каком-либо направлении внутри образца. Этот процесс называется текстурированием, а наличие такой ориентации – текстурой.

Способов создания текстуры несколько. В основном это прокатка в холодном состоянии и термическая обработка в магнитном поле. Холодная прокатка магнитного материала в одном направлении обеспечивает требуемую степень однородности кристаллической структуры.Термическая обработка и отжиг после изготовления помогают уменьшить механические напряжения внутри материала и получить требуемую ориентацию зерен. Отжиг в атмосфере водорода устраняет некоторые неметаллические примеси (С, О2, N), присутствие которых в сплаве мешает получению желаемой кристаллической структуры.

Термическая обработка в магнитном поле очень действенный и обычно последний этап процесса подготовки ферромагнетика. Сплав нагревают до области температур, близких к точке Кюри, а затем медленно охлаждают в магнитном поле с напряженностью в несколько эрстед. По мере охлаждения материала магнитное поле вызывает в нем высокую степень ориентации зерен и дает хорошие магнитные свойства.


1.3. Процессы перемагничивания ферромагнетиков


Как указывалось ранее, ферромагнетик состоит из доменов, которые даже в отсутствии внешнего магнитного поля намагничены почти до насыщения. В размагниченном ферромагнетике весь объем кристалла разделен между доменами, и вектор намагниченности каждого домена противоположен вектору намагниченности соседнего. Поэтому общая намагниченность материала равна нулю.

Если размагниченный ферромагнетик поместить во внешнее магнитное поле, то происходит перераспределение магнитных моментов доменов в направлении приложенного поля. В результате появляется составляющая намагниченности всего вещества в направлении внешнего поля. Образуется новая доменная структура, которая соответствует минимальному значению полной энергии ферромагнетика при данном внешнем поле.

Основной характеристикой магнитного материала, используемой при расчетах электромагнитных элементов, является кривая намагничивания, под которой понимают зависимость магнитной индукции В от напряженности внешнего поля Н – В=f(H).

Рассмотрим различные участки кривой начального намагничивания (намагничивание полностью размагниченного материала) и соответствующее распределение векторов намагниченности доменов в кристалле.

Кривую B=f(H) (рис. 1.5) можно условно разбить на четыре области.



Рис. 1.5

В отсутствие внешнего магнитного поля магнитные моменты доменов ориентированы по направлениям легкого намагничивания (НОЛН) так, что их магнитный поток замыкается внутри кристалла и не выходит за его пределы (рис. 1.6 а).

При малых значениях напряженности внешнего магнитного поля (область I) происходит рост доменов, направление намагниченности которых близко к направлению поля, за счет уменьшения других доменов. Здесь изменение границ доменов происходит плавно и является обратимым, т.е. исчезает с исчезновением внешнего поля. Область наибольшей магнитной проницаемости (область II) характеризуется быстрым возрастанием намагниченности, связанным с необратимым смещением доменных границ (рис. 1.6 б).



Рис. 1.6

Намагничивание здесь происходит скачками (скачки Баркгаузена). Векторы намагниченности скачком поворачиваются на 90 или 180 градусов, в зависимости от направления их начальной ориентации в сторону оси легкого намагничивания, наиболее близкой к направлению внешнего магнитного поля. Домены, скачком изменившие направление намагниченности, сохраняют новое направление после прекращения действия поля. Этим объясняется явление остаточного магнетизма.

По окончании смещения границ каждый кристаллит становится одним доменом, магнитный момент которого направлен по оси легкого намагничивания составляющей наименьший угол с вектором напряженности внешнего поля (рис. 1.6 в).

Область III характеризуется поворотом магнитных моментов в направлении вектора напряженности поля (процесс вращения) (рис. 1.6 г). Этот поворот становится все более затруднителен по мере приближения к направлению внешнего поля. При достижении этого направления (рис. 1.6 д) имеет место так называемое техническое насыщение ферромагнетика. Напряженность Hs, при которой происходит насыщение, называют напряженностью поля насыщения.

В области парапроцесса IV происходит незначительное повышение намагниченности за счет дополнительной ориентации вдоль внешнего поля спиновых магнитных моментов отдельных электронов. Процессы в этой области обратимы (рис. 1.6 е).

Таким образом, процессы намагничивания могут быть обратимыми и необратимыми. При необратимых процессах намагничивания большая часть энергии рассеивается в виде тепла, и для восстановления исходного магнитного состояния необходимо затрачивать дополнительную энергию.

Процесс намагничивания, за исключением начальной и конечной областей, является необратимым. Поэтому, если при намагничивании после достижения некоторой величины индукции начать уменьшать напряженность поля, индукция будет изменяться по кривой, отличной от начальной кривой намагничивания (рис. 1.7).



Рис. 1.7

Пусть напряженность внешнего магнитного поля после достижения насыщения ферромагнетика начинает уменьшаться. В результате этого намагниченность также уменьшается в результате процесса вращения магнитного момента каждого домена в направлении ближайшей оси легкого намагничивания. При Н=0 в ферромагнетике сохраняется остаточная намагниченность Jr и, соответственно, остаточная магнитная индукция Вr. При этом магнитные моменты доменов направлены по осям легкого намагничивания.

Если после этого увеличивать напряженность поля в "отрицательном" направлении, то дальнейшее уменьшение индукции В происходит главным образом за счет необратимого процесса смещения границ доменов. Если после достижения H= –НS снова увеличить Н до +НS, то изменение магнитного состояния будет происходить по ветви с, –Br, Hc, d.

Отставание изменения намагниченности вещества от изменения напряженности магнитного поля, обусловленное наличием необратимых процессов намагничивания, называют гистерезисом, а замкнутую кривую, графически изображающую это отставание за полный цикл изменения напряженности, – петлей гистерезиса.

Если к ферромагнетику прикладывать медленно изменяющееся внешнее магнитное поле обеих полярностей одинаковой амплитуды, то, в зависимости от его амплитуды, будем получать симметричные петли гистерезиса (рис. 1.8).



Рис. 1.8

Начиная с некоторого достаточно большого значения напряженности поля Нs, при котором вещество близко к состоянию насыщения, увеличение Н не вызывает увеличение площади петли гистерезиса, а только увеличиваются ее безгистерезисные части. Эту наибольшую петлю называют предельной, а все остальные петли гистерезиса – частными. Магнитное состояние вещества во внешних полях всегда характеризуется точкой с координатами В, Н, которая лежит внутри предельной петли гистерезиса.

Кривая, проходящая через вершины частных симметричных циклов, называется основной кривой намагничивания. Она не совпадает с начальной кривой намагничивания. При неравенстве амплитуд напряженностей разной полярности получают несимметричные петли гистерезиса.

Для ряда магнитных материалов удается создать текстуру, при которой направления легкого намагничивания всех кристаллитов практически совпадают. Если внешнее магнитное поле действует в направлении легкого намагничивания, то намагниченность материала будет изменяться лишь за счет смещения границ доменов, а процесса вращения практически не будет.

Магнитный материал с такой структурой в направлении легкого намагничивания имеет прямоугольную петлю гистерезиса (ППГ). ППГ характеризуется тем, что остаточная индукция Br мало отличается по величине от индукции насыщения Bs, и материал практически полностью перемагничивается при напряженности поля, близкой к коэрцитивной силе Нс (рис. 1.9).



Рис. 1.9

Качество таких материалов оценивают коэффициентом прямоугольности:

.

Чем чище материал, т.е. чем меньше примесей он содержит, тем больше Кп.

  1   2   3   4   5




Похожие:

Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconМинистерство образования российской фередации
Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет)
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconСистемный программный комплекс для обеспечения учебного процесса кафедры мовс
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconЛабораторная работа Вариант 12 по дисциплине
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт радиотехники,...
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconЧенстоховский технический университет
Ченстоховский технический университет (по польски- политехника Ченстоховска) существует с 1949 года
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconПрограмма по философии разработана в соответствии с новым Государственным образовательным стандартом. Программа предназначена для студентов дневного, вечернего и заочного факультетов мирэа
Печатается по решению редакционно-издательского совета по гуманитарным наукам Московского государственного института радиотехники,...
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники icon«Петербургский государственный университет путей сообщения» (влтжт – филиал пгупс)
Великолукский техникум железнодорожного транспорта имени К. С. Заслонова – филиал федерального государственного бюджетного образовательного...
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники icon«Петербургский государственный университет путей сообщения» (влтжт – филиал пгупс)
Великолукский техникум железнодорожного транспорта имени К. С. Заслонова – филиал федерального государственного бюджетного образовательного...
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconЮжно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) Шахтинский институт (филиал)
Методические указания предназначены для студентов специальности 071900 «Информационные системы в технике и технологии». Методические...
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconДокументы
1. /МРБ 0559. Лугвин В.Г. Элементы современной низкочастотной электроники.djvu
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconОргкомитет всероссийского тренинга «путь к олимпу»
Благотворительный фонд наследия Менделеева, Химический факультет мгу им. М. В. Ломоносова, рхту им. Д. И. Менделеева, рхо им. Д....
Технический университет филиал в г. Смоленске В. Ю. Смердов электромагнитные элементы промышленной электроники iconОсновы промышленной экологии
Системный подход в промышленной экологии. Отрасли промышленности и крупные производства как большие антропогенные системы
Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©podelise.ru 2000-2014
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы

Разработка сайта — Веб студия Адаманов