Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников icon

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников



НазваниеТезаурус тематических рубрик по физике полупроводников
страница1/13
Дата конвертации26.08.2012
Размер0.89 Mb.
ТипРеферат
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников

В. Н. Белоозеров (ВИНИТИ РАН)
Н. Н. Шабурова (ИФП СО РАН)

Введение


Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников» является информационно-поисковым тезаурусом в соответствии с ГОСТ 7.25.1) Он разработан в качестве компонента системы тематического поиска литературы по физике полупроводников в среде информационных ресурсов, содержание которых описывается различными классификациями отраслей знания. Единицами тезауруса являются дескрипторы, представленные кодами и наименованиями (ключевыми словами) классификационных рубрик четырёх авторитетных в области научной и технической информации классификаций – Универсальной десятичной классификации (УДК), Библиотечно-библиографической классификации (ББК), Государственного рубрикатора научно-технической информации (ГРНТИ), Рубрикатора отраслей знания Всероссийского института научной и технической информации (ВИНИТИ).


Ссылки:

С – синоним

См – отсылка от аскриптора (нерекомендованного термина) к синонимичному дескриптору.

В – вышестоящий, более широкий дескриптор, обозначающий родовое понятие или целый объект, в котором частью является заглавное понятие

Н – нижестоящий дескриптор, обратный к вышестоящему.

А – ассоциативное понятие, практически синоним при тематическом поиске литературы.
^

Лексико-семантический указатель дескрипторов

Латиница


N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21
В: вольтамперные характеристики
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/
Н: домены /в полупроводниках/
Н: эффект Ганна /в полупроводниках/

p-n-переходы = Переходная область в контакте между полупроводниками с электронной (n) и дырочной (p) проводимостью
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.23
В: барьерные эффекты в полупроводниках
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: гетеропереходы /в полупроводниках/
Н: классические сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: комбинации p-n-переходов
Н: контакты /полупроводников/
Н: объёмные неоднородности /в полупроводниках/
Н поверхность /: влияние на неоднородности в полупроводниках/
Н: слоистые структуры /в полупроводниках/
Н: туннельные контакты /полупроводников/
Н: эффекты поля / неоднородные системы в полупроводниках/

S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.25
В: вольтамперные характеристики
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: шнурование

А а


автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/ = выход электронов из asp?aid=%7bbb91d0d3-7fdc-479a-bda6-3d5025d37fe3%7d&ext=0">металла или полупроводника под действием сильного электрического поля
ВИНИТИ 291.19.31.37.23
С: туннельная эмиссия
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/

агрегатное состояние – действие на проводимость
УДК 537.312.64
В: температура – действие на проводимость

акустические явления в конденсированном веществе
УДК 538.951
В: свойства и явления в конденсированном веществе
А: механические явления в конденсированном веществе

акустические явления в аморфных полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.27.25
В: аморфные полупроводники – физика
В: акустические явления в полупроводниках

акустические явления в полупроводниках
ББК В379.231.7
ВИНИТИ 291.19.31.27
В: акустические явления в конденсированном веществе
B: полупроводники
Н: магнитное поле /влияние на акустику полупроводников/
Н: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в поупроводниках/
Н: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
Н: электроакустическое преобразование /в полупроводниках/
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках

акустооптика /полупроводников/ = раздел физики, изучающий взаимодействие оптических и акустических волн (акустооптическое взаимодействие), а также раздел техники, в рамках которого разрабатываются и исследуются приборы, использующие акустооптическое взаимодействие
ББК В379.24…
В: акустические свойства полупроводников

акусторезистивный эффект в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках

акустоэлектрические домены = области сильного электрического поля и большой интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов} в полупроводнике, возникающие при усилении фононов дрейфом носителей заряда
ВИНИТИ 291.19.31.35.19
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках
В: неустойчивости /в полупроводниках/

акустоэлектрические явления в полупроводниках
ББК В379.231.7
С: электроакустические явления в полупроводниках
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: акустоэлектрические домены
Н: акустомагнетоэлектронный эффект в полупроводниках

акцептор /в структуре полупроводника/ = Примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещённой зоне полупроводника свободный энергетический уровень, на который легко переходит валентный электрон, оставляя в валентной зоне дырку
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки полупроводников

алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

аморфно-кристаллические полупроводники
ВИНИТИ 291.19.31.47
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники

аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
ВИНИТИ 291.19.31.47
В: полупроводники
Н: аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: оптические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоструктурные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: электропроводность /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/

аморфные полупроводники = ^ Тела в аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников
ББК В379.212.4
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники – физика

аморфные полупроводники – физика
ББК В379.212.4
В: аморфные полупроводники
В: структура полупроводников
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: неустойчивости в аморфных полупроводниках
Н: статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
Н: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
Н: энергетический спектр аморфных полупроводников
А: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
А: стеклообразные полупроводники – физика

анизотропная электропроводность полупроводников
ББК В379.231.2
В: анизотропные полупроводники
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: электронные явления в полупроводниках

анизотропные полупроводники = полупроводники, свойства которых неодинаковы по различным направлениям
ББК 379.2
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: структура полупроводников
В: физика полупроводников
Н: анизотропная электропроводность полупроводников

антисегнетоэлектрики = диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие определенной спецификой электрических свойств. Основной признак антисегнетоэлектрика - наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией диэлектрической проницаемости
ГРНТИ 29.19.35
В: физика твёрдых тел

антиферромагнетизм /полупроводников/ = одно из магнитных состояний вещества, отличающееся тем, что элементарные (атомные) магнитики соседних частиц вещества ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно), и поэтому намагниченность тела в целом очень мала. Этим А. отличается от ферромагнетизма, при котором одинаковая ориентация элементарных магнитиков приводит к высокой намагниченности тела.
ББК В379.233.4
В: антиферромагнетизм – теория
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства полупроводников

антиферромагнетизм – теория
УДК 537.611.45
В: магнетизм – теория
Н: антиферромагнетизм полупроводников

антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
ГРНТИ 29.19.43
В: физика твёрдых тел
Н: антиферромагнетизм полупроводников
Н: антиферромагнитные материалы

антиферромагнитные материалы
УДК 537.622.5
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства материалов

антиферромагнитный резонанс = одна из разновидностей электронного магнитного резонанса, которая проявляется как резкое возрастание поглощения электромагнитной энергии, проходящей через антиферромагнетик (БСЭ)
УДК 537.635:537.611.45
В: магнитные резонансы
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ферримагнитный резонанс
Н: ферромагнитный резонанс
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13




Похожие:

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconР. П. Баканов Развитие телевизионной критики в федеральной печати 1990-х гг.: становление структуры специальных рубрик
Баканов Р. Развитие телевизионной критики в федеральной печати 1990-х гг.: становление структуры специальных рубрик // Тонус. Казань:...
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconРубрик в msc

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconРабочая программа по физике Составила И. В. Орлова, учитель физики 2009 г. Пояснительная записка
Примерная программа по физике составлена на основе федерального компонента государственного стандарта основного общего образования,...
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconДокументы
1. /планы тематических недель/Лекторская группа.doc
2. /планы...

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconДокументы
1. /Изучение зависимости сопротивления полупроводников от температуры.doc
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconРабочая программа по физике Составила И. В. Орлова, учитель физики 2008 г. Пояснительная записка
Рабочая программа по физике составлена на основе федерального компонента государственного стандарта основного общего образования,...
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconДокументы
1. /Тезаурус 2008,1-й уровень..doc
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconСтановление методологической культуры учащихся в обучении физике
Научно-методический совет по физике Министерства образования РФ объединенное физическое общество РФ
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconУчебник по физике, 11 класс Большая Энциклопедия Школьника Хрестоматия по физике 8-11 класс
Через три года Вильгельм получил диплом, а еще через год защитил докторскую диссертацию в Цюрихском университете. В 1872 году он...
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников iconРмо учителей физики
Внедрение информационных технологий обучения физике и астрономии. Методика применения новых программно-методических средств по физике....
Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©podelise.ru 2000-2014
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы

Разработка сайта — Веб студия Адаманов