Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике icon

Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике



НазваниеФакультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике
Дата конвертации28.08.2012
Размер212.16 Kb.
ТипДокументы
1. /Отчет по практике.docФакультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике


Московский государственный институт стали и сплавов

(технологический университет)


Факультет ПМП

Технологии материалов электроники


Отчёт по практике


Студент: Драндин Игорь Юрьевич

Группа: ТЭМ-99-1


Москва 2002


ВВЕДЕНИЕ




ОАО "ЭЛМА" крупнейший производитель материалов для электроники в России и СНГ. Общество образованно 19 января 1994 года на базе предприятий, входивших ранее в НПО "ЭЛМА" Министерства электронной промышленности СССР. Фирма ведет поиск новых материалов, совершенствует и производит в промышленном масштабе свыше 100 видов специальных материалов и полуфабрикатов. Общество владеет собственной современной технологией, имеет ряд "ноу-хау" в области полупроводниковых приборов. Предприятие начало свою деятельность в начале шестидесятых как часть Научного Центра в Зеленограде - города-спутника Москвы, который расположен в 35 км от Москвы.
        Ученые с мировым именем, технологи и инженеры в области исследования и технологии материалов были приглашены для работы с ОАО «ЭЛМА».


ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ:


  • научные исследования и технологические разработки в производстве электронных материалов и полупроводников;

  • производство кремниевых пластин и эпитаксиальных структур;

  • производство фотошаблонных заготовок;

  • производство материалов AIIIBV  (поликрсталлы, монокристаллы, пластины, эпиструктуры GaAs и GaP);

  • сапфировые пластины;

  • производство композитные пасты (резистивные, диэлектрические, проводящие);

  • производство компонентов для потребительских товаров 

Студенты Московского Института Стали и Сплавов (МИСиС) Факультета ПМП группа ТЭМ-99-1 летом 2002 года проходила практику в городе Зеленограде на «ЭЛМЕ». Практика длилась одну неделю. За это время удалось прослушать большое количество интересных лекций и увидеть множество установок в действии, а также посетили 2 музея.


В первый день мы посетили, музей «ЭлМы». Там нам рассказали о истории этого предприятия, удалось потрогать руками огромные слитки кремния, подержать пластины различных диаметров из разных материалов: 76-200мм диаметр ; кремний , германий (но диаметр гораздо меньше) , сапфиры,...



важнейшие этапы развития Компании:



1963

-  
  
   

Были начаты научные и исследовательские работы  в области производства ультра чистых полупроводниковых материалов;  
производство органометаллических соединений;  
научные и исследовательские работы по технологическому и тестовому оборудованию.

1966 

-  



Пилотный завод "ЭЛМА" был основан для увеличения производственных мощностей.  
Ученые и специалисты НИИМВ начали принимать участие в международных конференциях и выставках.

1968 

-  



Продукция  "ЭЛМы" вошла на мировой рынок, 11 типов материалов экспортировались в 10 стран.  
"ЭЛМА" приняла участие в выставке в Лейпциге, Осаке, Лондоне.

1969 

-  



Начато производство эпитаксиальных структур GaP и негативного фоторезиста - материалов экспортируемых в 11 стран мира.

1970 

-

Впервые в мире получены монокристаллы ZnS и CdS. 

1972 

-

Начало производства фотошаблонных заготовок и ультрачистого диоксида циркония. Восьми материалам была присуждена золотая медаль на выставке в Лейпциге. 

1975 

-

Развитие технологии и начало производства монокристаллов и пластин сапфира. Начаты научно-исследовательские разработки по получению полосок из монокристаллического сапфира и кремния. 

1977 

-

Начато производство 29 новых материалов и продуктов.

1978 

-

Начаты научно-исследовательские, технологические разработки и разработки в области оборудования по выращиванию материалов в космосе. 

1980 

-

Начато массовое производство пластин кремния диаметром 100 мм и эпитаксиальных структур. 

1985 

-

Начаты научно-исследовательские работы и производство 150 мм монокристаллических кремниевых пластин и 75 мм монокристаллических пластин  GaAs.

1987 

-

НПО "ЭЛМА" - крупнейший производитель полупроводниковых материалов в СССР. Оно было основано на базе НИИМВ и завода "ЭЛМА".

1994 

-

Было образовано ОАО "ЭЛМА" на базе НИИМВ, "ЭЛМА" и завода "Витязь".

1996

-

Начаты работы по реорганизации Компании

2000

-

Начаты работы по подготовке к сертификации  в соответствии с стандартом ISO 9000 



Сегодня на «ЭлМа» производит mono-Si , AIIIBV , сапфиры, фотошаблонные заготовки, пасты и порошки.





Основная проблема для отечественного материалостроения – диаметр монокристаллов кремния. в г. Зеленограде выращивают пластины диаметром 100-150 мм, и даже 200 мм, мировой уровень 250-300мм. Установки тоже состарились 70-80 гг.


Материалы - основа развития электроники XXI века


Настоящее время характеризуется резким ростом объемов информации, бурным завоеванием новых позиций.   Новые компьютеры, автоматизированные заводы, TV и спутниковые системы получения, передачи, обработки и хранения  информации, ее передача в отдаленные районы Земли постоянно создаются и усовершенствуются.


Этот процесс стимулирует работы по поиску более экономичных и технологически простых решений в производстве электроники, ИС и  дискретных приборов.  Одним из широко признанных путей завоевания новых высот является усовершенствование материалов для электроники, расширение их номенклатуры, уменьшение их себестоимости.

Кремний, постоянно удерживающий и завоевывающий новые позиции в мире, кремниевые эпиструктуры, соединения AIIIBV   и GaAs,  сапфир и материалы для пассивных компонентов - есть сфера наших интересов, исследований и развития.


Объёмы продаж:





AIIIBV – 99% идёт на экспорт (США , Корея , Япония , Тайвань). Раньше эти материалы использовались только в военных областях.


Например GaP – материал для светодиодов.

Для GaP – стоимость 1 тигля 4000$ (в тигель кладётся Ga , в трубу вдувается P)

Процесс идёт под большим давлением (80атм.) и длиться 5 часов (установки типа «ФОТОН»). Полученный кристалл охлаждают 4-8 часов. Длина получаемых слитков составляет 65-100 мм. Из 1 слитка можно получить до 30 затравок.


Стоимость GаAs 2000$ за 1 кг :

- 600$ за 1 кг

As - 350$ за 1 кг

Пластина 2 дюйма стоит около 30$

Максимально возможный диаметр (2002г) 76 мм (попытки 100 мм)

Основное направление – метод Чохральского ( стоимость 1 тигля 3500-6000$ )


AIIBVI и Bi2Te3 - используются для термомодулей (Пельтье модулей)

Очистка:

Температурная отчистка материала – стакан с загрузкой и примесями нагревают и шлаки всплывают на поверхность ,а очищенный материал сквозь дырки поступает в приёмник

Sb – сублимация

Без твёрдой фазы : Cd , Te , Sb , Zn

Синтез в расплаве

BiTeSe , BiTeSb из расплава получают исходный синтезированный материал


Прямой газофазный синтез AIIBVI

Сублимационная коромка.

Установка роста Bi2Te3 , потом отжиг при 420 о С

Происходит выравнивание свойств , улучшение механических свойств – болле пластичный.

Режут на бруски на 60 мм

Параметры проводимость и ТЭДС

Режут на пластины , наносят покрытие Мо , делают чипы.

Основная часть метериалов направляется на рост монокристаллов.


Метод Давыдова-Маркова :

Диффузионный перенос паров из источника на ориентированную подложку.


ZnCdS – используется для лазерных проекторов (пластины используются в качестве мешений световых трубок)

ZnS – диоды синего свечения.


Конструкция датчиков радиоактивного излучения:







Датчики Si радиоактивного излучения порядка 20 км или глубина до 100 метров

Используется Si полученный методом безтигельной зонной плавки. Удельное сопротивление 5000.000 ом. Концентрация легирующей примеси 1011 чистый Si – n – типа (30-50 $ за 1 пластину)

d=100 мм , толщина 100 мкм



  1. Окисляется при 1100оС О2 со всех сторон пластины.

  2. Фотолитография: вытравливается 32 окна. Снятие резиста и отмывание пластин в RCA растворах:

Н2О22SO4

Н2О2+NH7OH Для отмывки органики

Н2О2+HCl – для удаления быстро диффундирующих металлических примесей (Fe , Cr , Ni =109 ) – они имеют большой высокий коэффициент диффузии.


3. Процесс ионной имплантации (вниз имплантируют Р , вверх В (р-тип)

4. Отжиг при 1000-1100оС , глубина 1-2 мкм – «разгонка»

  1. Фотолитография для снятия окисла

  2. Наносим на контакты Al с содержанием кремния 1% напылением






7 Скоробировавие:


Алмазный диск толщиной 50 мкм , вырезаем детектор – это детектор с непосредственным съёмом сигнала. Cам датчик имеет размеры 6х6 см.


Основные проблемы:


  • Чистые комнаты

  • Диф. Печь 1000000$

  • Устройство фотолитографии 100000$



Галий Гадалинеевый Гранат (GGG)


Производство памяти 56к

Цена галия Ga 800$ за 1 кг


Добавки:

GGG можно видать синий цвет – добавив Mo

GGG светло-оранжевый – Nd неодим (используется в маломощных лазерных элементах )

GGG зелёный – с хромом Cr

GGG розовый – с тербием Tb


GGG способен расстворять W

GGG используется для подложек накачки лазерных элементов.


При изготовлении используются иридиевые тигли ( иридий дороже золота ). Добавляют O2 что бы галий не испарялся. Кристалл галия «растёт» 1-2 недели и достигает длинны 150 мм


GGG 7 мм/час 19-20-22 об/мин

TGG 3 мм/час 5-9 об/мин


Монокристаллический кремний. Метод Чохральского.

Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет перехода атомов из жидкой или газообразной фазы вещества в твердую фазу на их границе раздела Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость - твердое тело.

На ЭЛМЕ есть 5 немецких установок («Альтаир» и «Деймосич»)

Технология.



Исходный материал – поликристаллический кремний


  1. Моносилановый метод (высокочистый)

  2. Трихлорсилановый метод



Навеска лигатуры 11г – её достаточно чтобы перевести кристалл в нужную омность.


Технология процесса. Затравочный монокристалл высокого качества опускается в расплав кремния и одновременно вращается. Получение расплавленного поликремния происходит в тигле в инертной атмосфере при температуре, незначительно превосходящей точку плавления кремния Т = 1415 ºС. Тигель вращается в направлении противоположном вращению монокристалла для осуществления перемешивания расплава и сведению к минимуму неоднородности распределения температуры.



В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла  расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава. Легирование осуществляется введением определенного количества примесей в расплав. Требования к деталям оборудования. Тигель изготавливается из химически инертного, прочного материала с высокой температурой плавления. Обычно используют кварц SiO2, который для уменьшения концентрации кислорода в растущем монокристалле кремния покрывают слоем нитрида кремния. Карбиды кремния или тантала не используют из-за большого содержания углерода, способного проникнуть впоследствии в кремний.


Нагрев кремния осуществляют резистивным или индукционным способом. При этом графитовый нагреватель соединяют с источником постоянного напряжения или помещают в переменное электромагнитное поле.
Процесс выращивания кремния происходит в инертной атмосфере или в вакууме.

Из установки извлекают кремниевый слиток диаметром 20 - 50 см и длиной до 3 метров. Для получения из него кремниевых пластин заданной ориентации и толщиной в несколько десятых миллиметра производят следующие технологические операции.


1. Механическая обработка слитка:
- отделение затравочной и хвостовой части слитка;
- обдирка боковой поверхности до нужной толщины;
- шлифовка одного или нескольких базовых срезов (для облегчения дальнейшей ориентации в технологических установках и для определения кристаллографической ориентации);
- резка алмазными пилами слитка на пластины: (100) - точно по плоскости (111) - с разориентацией на несколько градусов.


2. Травление. На абразивном материале SiC или Al2O3 удаляются повреждения высотой более 10 мкм. Затем в смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот, приготовленной в пропорции 1:4:3, или раствора щелочей натрия производится травление поверхности Si.


3. Полирование - получение зеркально гладкой поверхности. Используют смесь полирующей суспензии (коллоидный раствор частиц SiO2 размером 10 нм) с водой.

В окончательном виде кремний представляет из себя пластину диаметром 15 - 40 см, толщиной 0.5 - 0.65 мм с одной зеркальной поверхностью.


При выращивании монокристаллов кремния используются кварцевые тигли. Тигли изготавливают из природного и синтетического кварца. Синтетический кварц чище и по этому предпочтительнее использовать тигли из это материала. В тигле есть сетка, которая предотвращает деформацию тигля (т.к. 1412о С).


Примеси и дефекты, возникающие в кремнии в процессе его роста:

Кислород попадает в кремний при частичном растворении тигля. Концентрация кислорода в кремнии составляет обычно 5*1017 см-3. Для ее уменьшения используют индукционный способ нагрева или уменьшают количество расплава в тигле.
Присутствие кислорода в узлах кремниевой кристаллической решетки приводит к появлению донорных центров, а междоузельный кислород увеличивает предел текучести кремния. Кроме того, наличие кислорода вызывает образование дефектов за счет преципитации (появляется фаза SiO2). Наличие этой фазы вызывает появление сжимающих напряжений в кристалле и дислокационных петель.

Дефекты данного типа захватывают как легирующие примеси, что является отрицательным фактором, так и нежелательные примеси, присутствующие в кремнии. Последнее используется в технологических операциях геттерирования.

Углерод попадает в кремний из графитовых узлов установки. Его концентрация в Si составляет обычно 1016 см-3. Углерод является примесью замещения. Он не выделяется в преципитаты и не становится электрически активным. Однако примесь углерода в кремнии влияет на процессы преципитации кислорода и дефектообразования.
Концентрацию кислорода и углерода в кремнии определяют по спектрам ИК поглощения.

Основные способы определения качества кремния

  • Визуальный осмотр. Отбраковывают части слитка, имеющие неправильную форму, меньший диаметр, плоскости двойникования.



  • Селективное травление. Проводят в хвостовой части кристаллического слитка для выявления дислокаций. Используют травитель Сиртла, состоящий из 49% HF и 5 М хромовой кислоты, смешанной в пропорции 1:1.



  • Ультразвуковой метод - для выявления микротрещин.



  • Четырехзондовый метод - для определения удельного сопротивления кремния (концентрации примесей). При этом контролируются постоянство прижима электродов-зондов и температура монокристалла.



  • Измерение времени жизни неосновных носителей - для определения концентрации примесей тяжелых элементов.






Например, тигель 330 рассчитан на загрузку 20 кг, можно досыпать от 6 до 12 кг

Камеры водоохлаждаемые.


Сначала расплавляется загрузка , потом идёт затравление , затравка монокристалла в определённой ориентации (100). Чтобы уйти от дислокаций вытягивается шейка длинной 5 – 8 см. Потом выходим на нужный диаметр. Если разброс удельного сопротивления > 20 % то слиток бракуется ( Этот брак связан с коэффициентом распределения примеси ).


Структурное совершенство.


Содержание дефектов упаковки <102-2

Время жизни неравновесных носителей заряда 48 мкс


Поликремний 30 $ за 1 кг / монокремний 150 $ за 1 кг.

Р=10-2 в потоке аргона , отжиг в атмосфере воздуха.


Вырощенный кристалл ( после охолаждения ) режут и очищают , делают фазку , шлифуют , калибруют по полщине и по сопротивлению и делают партии.


Методы контроля параметров:



  1. Маспектрия. (Лазерная) Предел 10-5 – 10-7 точность +/- 300 %

  2. Химико-спектральный. (эмиссионный) Атомноспектральный и ICP плазменный

точность +/- 30 %


  1. Нейтронно-Активационный. Метод длительный и дорогой , требует атомного реактора.

Предел 10-8 – 10-9 , точность +/- 10 % C и О2 определяют с помощью И.К. спектроскопов.


Зондовые методы позволяют определить состав материала в точке 10 мкм

Для ионных загрязнений используют рентгеноскоп с рассеиванием лучей под разными углами.

Входные параметры (удельное сопротивление, время жизни, концентрация основных носителей, плотность дефектов упаковки и дислокаций).

Межоперационный контроль (толщина, удельное сопротивление, диаметр, длина базового среза, ширина фаз)

Выходной контроль (матовость, плоскостность, количество частиц на поверхности, толщина)

Удельное сопротивление на входном контроле измеряется 4х зондовым методом (зонды сделаны из карбида вольфрама). Измеряется при разных направлениях тока.

Время жизни и тип проводимости определяется через диффузионную длину.

У бесконтактного метода главным преимуществом является высокое быстродействие (5000 пластин в смену) и не портится поверхность пластин.

Измерение толщины пластин:

Измеряется толщина пластины в нескольких местах (например, 5) и машина принимает решение о пригодности, измеряемой пластин.




Экологические проблемы


Электронная промышленность использует много токсичных веществ. В изделие переходит всего 4 % , а 96% идёт в отходы:


Эколого-аналитическая лаборатория контролирует выбросы:


1. Выбросы в атмосферу

2. Сброс в водоёмы.


Пыль: Si , KOH , NaOH ;

Газы: NO , NO2 , органика ;

Сточные воды: F - , Cr 3+ , Cr 6+ , NO3 - , OH - ;

Твёрдые отходы: As , Cd.




Стандарты:


SEMI – стандарты на полупроводниковые материалы , оборудование , отходы. SEMI – общепринятые мировые стандарты , в них есть ссылки на ASTM : устанавливается каким методом определяется ( Россия : Гост , Ост , ЕТО , ЕТМ ).

Существуют стандарты ICO-9000 как организовать методы контроля. ICO-14000 включает в себя стандарт ICO-9000 , но позволяет организовать процесс производства , не загрязняющий окружающую среду. ICO-15000 – для управления базами , определение параметров , подчинения (для эффективного взаимодействия фирм разных стран и с разной иерархией ) и т.д. Результат полученный на одной фирме используется на другой.


Эпитаксия кремния


Термин «эпитаксия» происходит от греческих слов «эпи» и «такси», имеющих значения «над» и «упорядочение». Технологический процесс эпитаксии заключается в выращивании на монокристаллической подложке слоев атомов, упорядоченных в монокристаллическую структуру,  полностью повторяющую ориентацию подложки. Существует три вида эпитаксии: газовая, жидкостная и молекулярно-лучевая.

Причина появления технологии изготовления эпитаксиальных пленок и их преимущества:



Причиной появления эпитаксиальной технологии послужила необходимость совершенствования процесса изготовления биполярных транзисторов. Эти приборы обычно формируются в объеме полупроводниковой подложки с большим удельным сопротивлением,  определяющим высокое напряжение пробоя база - коллектор Uбк.

С другой стороны, высокие значения приводят к увеличению рассеиваемой в полупроводниковой подложке мощности и уменьшению коэффициента усиления транзистора на высоких частотах. С целью разрешения этого противоречия была разработана технология получения высокоомных полупроводниковых слоев на низкоомной подложке.

В настоящее время при изготовлении интегральных схем используются низкоомные эпитаксиальные слои с противоположным относительно подложки типом проводимости Образующийся при этом p-n переход служит для электрической изоляции соседних транзисторов, а сильнолегированный n+ диффузионный слой используется в качестве коллекторного контакта. Ступенька, показанная на рисунке, применяется в дальнейшем при операциях самосовмещения в процессах литографии.


Слои, синтезированные по эпитаксиальной технологии, обладают следующими преимуществами:

  • широкая область изменения уровня и профиля легирования;

  • изменение типа проводимости выращиваемых эпитаксиальных пленок;

  • физические свойства эпитаксиального слоя отличаются от свойств материала подложки в лучшую сторону, например, в них меньше концентрация кислорода и углерода, меньше число дефектов;

  • процесс может происходить при температурах меньших, чем температура наращивания слитка монокристалла;

  • можно нанести эпитаксиальный слой на подложку большой площади;

  • эпитаксиальный слой может быть нанесен локально.

Для достижения нужной проводимости кремний легируют:


III группа – р-тип

V группа – n-тип


Концентрация носителей в подложке имеет определённое значение , если ввести слой с другой концентрацией получим p-n переход или n-n переход.


Что необходимо для эпитаксии кремни?


  1. Источник кремния:


SiCl4 , SiHCl3 , Si2HCl2 , SiH4


Температурный ряд, при котором происходит эпитаксиальный рост


SiH4 SiCl4


Силан при нагревании разлагается – приводит к дефекту роста

Силан требует условий, когда стенка реактора холодные, а нагрета только подложка. Подложка нагревается ИК- подсветкой. Моносилан – скорость роста 0.2-0.3 мкм используется для получения тонких слоёв. Более толстые слои поучают с помощью SiCl4 для него необходимы холодные стенки. Наиболее распространённый ВЧ нагрев.

Графитовая пирамида, покрытая карбидом

кремния


Пирамида поглощает токи высокой частоты,

Токи ВЧ нагревают графит и от него нагревается

подложка, через индуктор.

Всё герметично накрывается кварцевым

колпаком.

SiCl4 нагревается до 24 оС , бомбардируется

Н2 ,потом ещё добавляют Н2 , он несёт SiCl4

в реактор.


Оборванные ступени атомных слоёв

Si


Si пожет уйти назад в газ, или искать себе место , если температура низкая , он закрепится где упал ( поликристаллический рост ) если оптимально подобрана температура то он начинает искать себе место. Коэффициент закрепления – определяется количеством атомов к количеству закрепившемся на поверхности.


Аналогично и в гетероэпитаксии. Суть – повторение кристаллической структуры подложки. В гетероэпитаксии параметры решётки должны быть близки , подбирают материалы. Все материалы должны быть очень чистыми.


SiCl4 имеет сопротивление 100 – 200 Ом. см для нужного сопротивления испаряют примесь В2Н6 – диборант р – типа газ. Раньше использовали галогениды.

Подачу газа настраивают регулятором , хлориды разлагаются на нагретой поверхности – точное поддержание температуры играет очень большую роль для равномерности подложки. Процесс проходит в атмосфере азота , водород нельзя использовать в больших количествах т.к. 95% могут закончиться взрывом. Азотом промывают камеру до и после процесса. Требования к газам <0.01% содержания кислорода, определяется точкой росы. Скруббер удаляет примесь (улавливанием водой или разбавлением до предельно допустимых концентраций).


Подложку окисляют при 1100-1200 оС слои окисла 4000 А. На окисел наносят фоторезист (позитивный, негативный).





Дубление : после снятия фотошаблона участки , которые не подверглись освещению удаляются. Получают подложку с окислами и фоторезистом. Стравливают окисел который не защищён фоторезистом. Потом удаляется фоторезист.







Диффузиант поподая на открытые участки

внедряется.


Глубина определяется временем и температурой. Во время разгонки слой раздвигается , потом окисел удаляется и получается пластинка Si с разными островками.





«р» область «n» область


Затем следует эпитаксия


«n» область

«n» область

«n» область


«р» область


В 16 килобитных микросхемах пластина подвергается процессу фотолитографии до 18 раз.


Для определения чистоты пользуются двумя спектральными методами:


Эмиссионная спектроскопия – возбуждают электроны, когда они возбудились то они излучают. Возбуждение или помещение в электронную дугу: внешние электроны покидают а внутренние переходят на более высокие уровни; свечение подаётся монохром и идёт на электронный ускоритель. Эмиссионный спектральный анализ – очень сложный т.к. содержит 6000 линий, далее фотометрируют, определяют степень почернения.


Лазерная спектрометрия (ICP) – одновременно регистрируются на ЭВМ 20 элементов. PPO призма поворачивается, и получаем для всех веществ.


Атомная абсорбция – аппарат сломался (так бы было 3 метода).





Некристаллические материалы







сверхпроводники п/п проводники диэлектрики


Халькогенидные стёкла используются в качестве материалов для оптической записи информации. Волноводы для ИК излучателей.


Структура стекла:


Концепция Захореасона – хаотичная структура.

Концепция Лебедева – состоит из мельчайших кристалликов.


Стекло – SiO2

0-573 oC - кварц

573-870 - кварц

1470 – кристаллоболит


Стекло состоит из фрагментов структуры называющихся кристаллоиды и не имеющих дальнего порядка.


Технология кварцевых фотошаблонов


Фотошаблон – матрица на стекле.


  1. Подготовка стекла.

  2. Очистка поверхности.

  3. Нанесение маскирующего слоя.

  4. Нанесение фоторезиста.



Используется боросиликатное стекло. Для сложных шаблонов используется кварцевое стекло (пропуск. УФ).

Не плоскостность стекла равна 0 – достигается на стадии полировки. Для отмывки используется ультразвуковая ванна. На всех стадиях проводится контроль (электрофизических параметров, размеры пластины, и т.д.).


Заключение.


Практика на заводе «ЭЛМА» позволила наглядно увидеть процесс производства пластин кремния. Лекции дали возможность ещё шире узнать тонкости и особенности материаловеденья и закрепить уже имеющиеся знания. Большой интерес вызвало посещение музеев завода где удалось узнать много полезной и интересной информации о производстве материалов для электронной промышленности.

Завод «ЭЛМА» к сожалению, не может похвастаться современным оборудованием, многие производственные установки морально устарели.




Похожие:

Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconОтчет по технологической практике на тему: «…» Ведущая организация: …
Требования и рекомендации по оформлению отчетов по технологической практике и прочая информация на этот счет
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconДокументы
1. /Отчет по взрывной практике.DOC
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconДокументы
1. /Отчет по преддипломной практике.doc
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconОб итогах проведения муниципальной выставки методических материалов педагогического опыта «Современные педагогические технологии в образовательном процессе» Поздравляем наших коллег!
Об итогах проведения муниципальной выставки методических материалов педагогического опыта «Современные педагогические технологии...
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconДокументы
1. /Спец отчет по практике.doc
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconРадиотехники, электроники и автоматики
Методические указания по выполнению дипломного проектирования по специальности 220400 «программное обеспечение вычислительной техники...
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconСвч электроники Виктор кулигин, Галина кулигина, Мария корнева аннотация
М типа. В этой модели электронный поток рассматривается как замагниченная плазма. Исправляются ошибки в вычислениях некоторых энергетических...
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconДокументы
1. /Данишевский С.Л. Технологии высокомолекулярных материалов и химического сырья для их синтеза....
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconСправка о профессиональной деятельности учителя информатики моу сош №9 Газизовой Ленизы Ривальевны
Глубокое знание содержания предмета, способность самостоятельно адаптировать и применять на практике современные педагогические технологии...
Факультет пмп технологии материалов электроники Отчёт по практике iconСправка о профессиональной деятельности учителя информатики моу сош №9 Газизовой Ленизы Ривальевны
Глубокое знание содержания предмета, способность самостоятельно адаптировать и применять на практике современные педагогические технологии...
Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©podelise.ru 2000-2014
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы

Разработка сайта — Веб студия Адаманов